10.3969/j.issn.1001-4160.2011.03.002
N-型喹啉、喹喔啉与噻吩共轭嵌断共低聚物光谱性能的理论研究
N-型喹啉与噻吩共轭嵌断共低聚物,6,6'-双(5-甲基-噻吩-2-)4-苯基喹啉(B1TPQ),6,6'-双(2-2'-噻吩-5-)-4-苯基喹啉(B2TPQ),6,6'-双(2,2',5'2"-噻吩-5-)4-苯基喹啉(B3TPQ),均可用于有机发光二极管(OLEDs).本文为了揭露n-型共轭嵌断共低聚物的电子和光学性质,设计出了与B1TPQ,B2TPQ,B3TPQ结构相似的一系列新的化合物(BITPQX,B2TPQX和B3TPQX).用B3LYP密度泛函理论计算了中性分子的HOMO-LUMO能隙(△E),电离势(Ip)和电子亲和势(Ea),对于B1TPQ(B1TPQX),B2TPQ(B2TPQX),和B3TPQ(B3TPQX),聚合物的电子亲和势分别为6.18(6.33),5.95(6.05)和5.69eV(5.76 eV),这说明B3TPQ和B3TPQX的空穴注入和传输是最容易的,由于噻吩嵌段链的长度是最大的.本文还用含时密度泛函理论(TD-DFT)计算了最低激发能(Eg)和吸收光谱,计算得到的最大吸收波长为:403nm(B1TPQ)<447nm(B2TPO)<492 nm(B3TPQ),419 nm(B1TPQX)<471nm(B2TPQX)<523nm(B3TPQX),吸收波长逐渐发生红移.计算结果表明,改变噻吩嵌段链的长度可显著地影响低聚物的光谱性能.
OLEDs、喹啉、喹喔啉、含时密度泛函理论(TD-DFT)
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O642;TQ316(物理化学(理论化学)、化学物理学)
the Scientific Research Fund of Hunan Provincial Education Department 09A091
2011-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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