HF在Cu(100)和SiO2(100)晶面吸附的蒙特卡罗模拟

摘要：

HF 同固体表面的相互作用,在腐蚀、催化和电化学等领域都有重要的意义.为了研究在低温低压条件下,HF 在 Cu 和 SiO2晶体表面的吸附情况,本文采用巨正则蒙特卡罗(GCMC)模拟法,计算模拟 HF 在 Cu(100)和SiO2(100)晶体表面的吸附行为.结果表明:本文所模拟的属于物理吸附.在 150 K、46.62 Pa 以上时,HF 可以在 Cu 晶体表面上发生吸附,如压力降低,则吸附大大降低,在 100 K 以下、1 Pa 以上时,均能发生吸附.在相同条件下,HF 与SiO2 比与 Cu 晶面的吸附能力强,且更易发生物理吸附,在 150 K 以下,1 Pa 以上时,HF均可与SiO2晶面发生吸附.本文的结果为在低温低压下 HF 与 Cu 和SiO2 晶体表面的吸附实验提供一定的理论指导.

关键词：巨正则蒙特卡罗、HF、Cu(100)表面、SiO2(100)表面、吸附

所属期刊栏目：27

分类号：O647.3(物理化学（理论化学）、化学物理学)

在线出版日期：2010-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：659-662