考虑功率循环的IGBT可靠性分析

摘要：

绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)在新能源汽车、新能源发电、电能传输等领域中得到了广泛应用,IGBT作为电力电子变换装置中的核心器件,其可靠性直接决定了整个系统的脆弱程度.因此如何计算出IGBT的寿命和可靠性对于研究整个电力电子系统的可靠性起关键性的作用.论文基于IGBT的物理失效模型,分析负载功率波动对IGBT可靠性的影响,提出了IGBT的可靠性分析流程.最后以1kW逆变器为例计算IGBT的B10寿命和可靠性,论文从理论分析、仿真验证了所提出方法的可行性.

关键词：IGBT、功率循环、寿命、可靠性

所属期刊栏目：49

分类号：TM133(电工基础理论)

在线出版日期：2021-05-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：654-658