VDMOS雪崩耐量参数测试技术研究

摘要：

目前,很难找到介绍关于VDMOS参数的测试方法的文献,而且所能找到的文献主要介绍的都是VDMOS的基本测试方法,且多是静态参数.而VDMOS的动态参数占全部待测参数的70％之多,不同的参数需要搭建不同的测试电路环境,并且由于动态参数测试较复杂,因此很难实现快速准确的测量,尤其是大功率VDMOS动态参数.只有建立全面的参数测试手段,方能指导器件的研发及使用.论文重点分享了在VDMOS雪崩耐量测量中技术难点和解决思路.论文涉及的工作内容对于目前国内研发VDMOS器件的测试工作将起到一定的指导作用.

关键词：VDMOS、动态参数、雪崩耐量、测试

所属期刊栏目：49

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2021-05-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：630-633