单片电路晶体管模型参数提取专用 TRL 校准件磁

摘要：

为了满足 GaAs 微波单片晶体管模型参数精确提取需求，论文开展了在 GaAs 衬底上制作专用 TRL 校准件的研究工作，该专用校准件在设计过程中，综合考虑了介质材料、测量端口探针至微带线过渡等要素，使校准后在片 S 参数测量的参考平面更加接近晶体管管芯，从而获得了微波单片晶体管真正管芯模型参数。为了对校准效果进行验证，制作了在片无源检验件，通过测量结果与电磁场仿真数值的对比，证实了该专用校准件满足模型参数提取的测量要求。

关键词：在片 TRL 校准、在片 S 参数、晶体管表征

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2015-03-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：21-23,74