10.3969/j.issn1672-9722.2013.12.044
支持ONFI和Toggle模式的NAND Flash PHY设计
论文设计了一种能支持ONFI 2.1与Toggle 1.0模式的NANDFlash PHY,完成了其读写通道、地址与控制逻辑的设计,并采用读门控电路消除DQS读前后的毛刺.功能仿真与静态时序分析结果表明,PHY的设计达到了ONFI与Toggle标准时序要求.NANDFlash PHY面积为45245.5μm2,动态功耗为1.16mW,静态功耗为95.8μW.
ONFI、Toggle、源同步、DDR、写通道、读通道
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TP393(计算技术、计算机技术)
2014-02-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
2024-2026,2029