10.3969/j.issn.1672-9722.2006.01.003
铁电存储器的基本单元及其工作模式
按照铁电储存器的破坏性读出和非破坏性读出的这两种基本工作模式及其所对应的铁电随机存取存储器FRAM和铁电场效应晶体管FFET两种结构形式的分类,分别介绍了1T/1C,2T/2C结构和铁电场效应晶体管金属-铁电-半导体(MFS)结构的基本铁电存储单元的结构及其工作模式.
FRAM FFET、2T/2C、1T/1C
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TP333(计算技术、计算机技术)
教育部科学技术研究项目90407023
2006-04-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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