10.3969/j.issn.1003-3254.2014.03.030
基于写数据页聚簇的固态硬盘缓冲算法
针对Flash写前需擦除,读写I/O开销不均衡等固有缺陷,研究面向闪存缓冲区管理,对提高基于Flash的固态硬盘(Solid State Disk,SSD)访问性能具有重要理论意义和应用价值.通过分析SSD关键技术及现有缓冲区管理算法,实现了一种适用于SSD的基于写数据页聚簇缓冲算法.文章中详细介绍了该算法关键技术及原理,并通过FlashSim仿真平台实现SSD写缓冲.基于仿真结果与传统缓冲算法性能比对,分析得出该缓冲算法可降低SSD随机写次数和SSD数据存储分散性,并提升SSD响应速度.
固态硬盘、缓冲管理、聚簇、置换策略、随机写
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TN9;TP3
2014-05-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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167-171