基于相变存储器的存储技术研究综述
以数据为中心的大数据技术给计算机存储系统带来了机遇和挑战.传统的基于动态随机存储器(DRAM)器件的内存面临工艺尺寸缩小至2X nm及以下所带来的系统稳定性、数据可靠性等问题;相变存储器(PCM)具有非易失性、存储密度高、功耗低、抗辐射干扰等优点,且读写性能接近DRAM,是未来最有可能取代DRAM的非易失存储器,它为存储系统的研究和设计提供了新的解决方案.文中在归纳相变存储器器件发展和研究现状的基础上,对相变存储器在系统级的应用方式和面临的问题进行了比较和分析,研究了基于相变存储器的内存技术和外存技术,分析了当前在PCM的寿命、写性能、延迟、功耗等方面所提出的解决方案,指出了现有方案的优势和面临的缺陷,并探讨了未来的研究方向,为该领域在今后的发展提供了一定的参考.
相变存储器、非易失存储器、存储技术、计算机体系结构
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TP303;TP333(计算技术、计算机技术)
国家“九七三”重点基础研究发展规划项目基金2011CB302301;国家自然科学基金61303046,61173043;国家杰出青年科学基金61025008;中央高校基本科研业务;费HUST:2013TS042;Our work is supported by the National Basic Research Program 973 Program of China2011CB302301;the National Natural Science Foundation of China.61303046 and 61173043;the National Science Fund for Distinguished Young Scholars61025008;the Fundamental Research Funds for the Central UniversitiesHUST:2013TS042
2015-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共17页
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