面向非易失性内存文件系统的NVM模拟与验证方法
现有非易失性内存文件系统都以DRAM模拟非易失性内存(Non-Volatile Memory,NVM)进行测试,而没有充分考虑两者间的写时延和写磨损特性差异,使得测试结果无法准确反映文件系统在NVM物理设备上的写性能以及对NVM造成的磨损情况.现有NVM模拟器准确度不高,且仿真接口不完备,无法满足内存文件系统对NVM的仿真需求.对此,提出一种面向非易失性内存文件系统的NVM模拟与验证方法.首先,结合非易失性内存文件系统本身的数据读写特性,提出内存文件系统中NVM写时延的模拟方案;其次,跟踪内存文件系统对NVM的读写操作,以验证文件系统对NVM物理设备的写磨损分布情况.选取多个典型内存文件系统实现上述方法.实验结果表明,提出的写时延模拟方法能够将写时延的模拟误差平均降低65%,写磨损验证方法能够较准确地反映内存文件系统对不同粒度NVM页面的磨损分布情况.
非易失性存储器、内存文件系统、写时延、磨损均衡
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TP316.89(计算技术、计算机技术)
国家高技术研究发展计划863计划;国家自然科学基金
2020-09-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
74-80