5.8 GHz 0.18μmCMOS低噪声放大器的设计

摘要：

基于0.18μm CMOS工艺，设计了一个新型的低噪声放大器。在该放大器中，采用带有级间匹配的共源共栅结构。采用级间匹配结构实现了低功耗高增益。为了降低芯片面积，使用LC并联网络代替传统的大电感。仿真结果表明，在5.8 GHz的工作频率下，功率增益大约为10.3 dB，而反向隔离度低于－16 dB。同时具有比较好的输入输出匹配。除此之外，还获得了比较小的最小噪声系数和比较好的线性度。在1.5 V的供电电压下，电路的静态功耗为12.7 mW。

关键词：低噪声放大器、CMOS、噪声系数、线性度

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金青年科学基金No.61106021；江苏省高校自然科学基金No.11KJB510019；南京邮电大学青蓝工程基金No.NY210037。

在线出版日期：2014-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：61-64