一种多链式结构的3D-SIC过硅通孔(TSV)容错方案

摘要：

三维(3-Dimensional,3D)电路由于其更高的密度、更高的传输速率及低功耗的优点逐渐受到人们的重视和研究,而硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技术是三维电路中互联上下层不同模块的主要方法之一.然而由于制造工艺水平的限制,在芯片制作完成后会出现一些失效TSV,这些失效TSV会导致由其互联的模块失效甚至整个芯片的失效.提出了一种多链式的硅通孔容错方案,通过将多个TSV划分为一个TSV链,多个TSV链复用冗余TSV的方法修复失效TSV.通过相关实验显示,该方案在整体修复率达到90％以上的情况下可以较大地减少冗余TSV增加的个数和面积开销.

关键词：三维(3D)、过硅通孔(TSV)、容错

所属期刊栏目：48

分类号：TP391.7(计算技术、计算机技术)

资助基金：中国博士后科学基金资助项目20080430050;博士点基金新教师项目200803591033;国家自然科学基金委员会及研究资助局联合研究计划N CUHK417/08

在线出版日期：2012-12-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：75-80