深亚微米CMOS SRAM SEE特性及加固技术研究
在空间环境甚至在地面环境中,受高能粒子等多种因素的的影响,深亚微米COMS SRAM很容易发生单粒子事件(single event effects,SEE),使得COMSSRAM中的存储数据发生翻转甚至直接将器件烧毁.对深亚微米CMOS SRAMSEE特性与器件基本存储结构、数据读写速度、集成度、供电偏压等的关系进行了研究,同时从器件级和系统级两个层面时CMOSSRAM抗SEE加固方法进行了研究,最后给出了一种基于高可靠性反熔丝型FPGA硬件实现的系统级抗SEU设计,该系统可以纠正单个字(32bit)及其校验位(7bit)数据的一位错,检测两位错,该设计具有强实时、高可靠性的特点,已通过了各类空间环境试验.
深亚微米、COMS SRAM、单粒子效应、翻转截面、错误检测与纠正
30
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家863高技术研究发展计划基金项目2007AA1508
2009-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
2821-2825
