硅转接层高带宽存储互连通道信号完整性设计及仿真

摘要：

HBM存储器由于超高的存储带宽在大数据、智能计算等领域具有广阔的应用前景.支持超细线宽的硅转接板是实现存储器与芯片间HBM信号互连的主要载体,从HBM 1.0到HBM 2E,信号速率达到3.2 Gbps,信号完整性问题不容忽视.从HBM颗粒管脚阵列结构出发,分析信号布线和线宽间距极值.建立2层信号线传输模型,提炼频域阻抗分析方法和总串扰计算方法,从频域角度分析结构参数对电性能传输参数的影响,并从时域进行验证.结果显示:HBM信号线宽间距和应小于6.8μm;在应用频点范围内,远硅层信号线阻抗比近硅层信号线阻抗高6～8Ω,3μm线宽的阻抗值更接近于50Ω;线宽和线长是插入损耗敏感参数,间距和布线层对损耗影响较小.针对低频区的固有损耗,线宽影响占主导,针对高频区线损耗,线长影响较大.间距是串扰敏感因素,但受空间限制,间距优化有限,引入地屏蔽线是有效的解决办法.

关键词：HBM、硅转接层、信号完整性、阻抗、插入损耗、总串扰、眼图

所属期刊栏目：44

分类号：TN41(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-03-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：199-206