相变存储器写寿命延长关键技术研究进展

摘要：

随着大数据分析应用时效性提升和“存储墙”问题日益突出,存储系统已成为当前计算机系统整体性能的瓶颈.以相变存储器(PCM)为代表的新型非易失性存储器(NVM)具有集成度高、功耗低、读写访问速度高、非易失、体积小和抗震等优良特性,已成为最具潜力的下一代存储设备.然而,写寿命有限是PCM实用化的一道障碍,如何通过减少写操作和磨损均衡以提升PCM使用寿命是当前的研究热点.从减少PCM写操作、均匀写操作分布以及在混合内存中的页面迁移等三个方面介绍了当前PCM写寿命延长技术的研究现状以及优缺点,最后探讨未来进一步改进PCM寿命可能的研究方向.

关键词：相变存储器、混合内存、写寿命、磨损均衡

所属期刊栏目：40

分类号：TP333(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金61402518

在线出版日期：2018-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：1546-1555