考虑硅衬底效应的基于TSV的3D-IC电源分配网络建模

摘要：

基于硅通孔TSV的3D-IC在电源分配网络PDN中引入了新的结构——TSV,另外,3D堆叠使得硅衬底效应成为不可忽略的因素,因此为3D-IC建立PDN模型必须要考虑TSV以及硅衬底效应.为基于TSV的3D-IC建立了一个考虑硅衬底效应的3D PDN模型,该模型由P/G TSV对模型和片上PDN模型组成.P/G TSV对模型是在已有模型基础上,引入bump和接触孔的RLGC集总模型而建立的,该模型可以更好地体现P/G TSV对的电学特性;片上PDN模型则是基于Pak J S提出的模型,通过共形映射法将硅衬底效应引入单元模块模型而建立的,该模型可以有效地反映硅衬底对PDN电学特性的影响.经实验表明,建立的3D PDN模型可以有效、快速地估算3D-IC PDN阻抗.

关键词：3D-IC、电源分配网络、P/G TSV、PDN阻抗、硅衬底效应

所属期刊栏目：36

分类号：TP301(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2015-01-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2339-2345