3D SRAM中的TSV开路故障模型研究

摘要：

基于3D-IC技术的3D SRAM,由于硅通孔TSV制造工艺尚未成熟,使得TSV容易出现开路故障.而现有的TSV测试方式均需要通过特定的电路来实现,增加了额外的面积开销.通过对2DMemory BIST的研究,针对3D SRAM中的TSV全开路故障进行建模,根据TSV之间的耦合效应进行广泛的模拟研究,分析并验证在读写操作下由于TSV的开路故障对SRAM存储单元里所存值的影响,将TSV开路故障所引起的物理故障映射为SRAM的功能故障.该故障模型可以在不增加额外测试电路的情况下,为有效测试和解决这种TSV开路故障提供基础.

关键词：3D-IC、TSV、开路故障、测试、建模

所属期刊栏目：36

分类号：TP331(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2015-01-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：2331-2338