室温单电子晶体管制备进展

摘要：

单电子晶体管由于其纳米级的器件尺寸和超低功耗等优点被广泛认为是当前最有应用前景的纳米电子器件之一,实现室温下的正常工作和器件结构的精确控制是其实用化的关键.室温单电子晶体管的主流制备方法为自顶向下工艺和自底向上工艺.自顶向下工艺便于器件集成,但纳米尺度下的制备工艺误差较大,室温单电子晶体管的性质难以稳定;自底向上工艺能够比较容易地制备出室温单电子晶体管,但同样有耦合结构误差较大的问题.在结合自顶向下工艺和自底向上工艺的基础上,引进纳米结构制备的新技术来提高工艺过程的可控性,是下一步室温单电子晶体管制备的研究重点.

关键词：室温单电子晶体管、自顶向下工艺、自底向上工艺

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家863计划资助项目2009AA01Z114;国防科技大学研究生创新基金

在线出版日期：2011-01-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：30-33,138