考虑缺陷率模型的多项目晶圆布图规划算法

摘要：

针对随机缺陷会降低多项目晶圆实际产出的问题,提出一种新的多项目晶圆布图规划算法.通过在布图规划中引入缺陷率模型的方法,增加芯片产量的裕量,降低因随机缺陷造成的产量损失.同时优化模拟退火流程,使得在布图尺寸约束条件下,布图规划过程能够跳出局部最优解陷阱.对工业实例进行布图规划的结果表明,该算法能够接受不满足布图尺寸约束条件的中间结果,从而遍历解空间,得到全局最优的布图,并且相对已有算法,使用相同数量晶圆进行切割时,算法的布图结果增加了137％的芯片产量的总裕量,同时,降低了25％的工作芯片所需要生产的晶圆数量.

关键词：多项目晶圆、布图规划、模拟退火算法、代价函数、缺陷率模型、布图尺寸约束

所属期刊栏目：40

分类号：TP301.6(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61204111

在线出版日期：2014-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：258-261,268