10.3969/j.issn.1000-3428.2010.14.079
基于动态局部重配置的FPGA抗辐射模拟
提出一种与具体硬件结构无关、基于权重的错误注入模型,用于准确模拟基于SRAM的现场可编程门阵列抗辐射性能.提出基于JTAG边界扫描技术和动态局部重配置的错误注入模拟平台.实验结果证明,由该软件模型和硬件平台组成的错误注入系统具有良好通用性,能更准确、高效地进行模拟,且成本较低.
现场可编程门阵列、错误注入模型、动态局部重配置、JTAG边界扫描
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N945.12(系统科学)
国家自然科学基金资助面上项目60676020;上海市浦江人才计划与上海市科委联合基金资助项目08706200101
2010-09-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
218-220,226