基于混合三模冗余的容忍双点翻转锁存器
随着集成电路工艺的飞速发展, 电路内部节点对于高能粒子入射的敏感性急速增大, 锁存器中辐射效应引起的软错误急剧增多. 进入90 nm工艺以后, 电荷共享导致的双点翻转已经成为影响可靠性的严重问题. 为此, 基于混合三模冗余机制, 提出2种加固锁存器结构: TMR-2D1R锁存器和TMR-1D2R锁存器. 传统的三模冗余锁存器包括3个同构的D-latch和1个表决器; TMR-2D1R锁存器包括2个D-latch, 1个RHM单元和1个表决器, 可以部分容忍双点翻转; TMR-1D2R锁存器包括1个D-latch, 2个RHM单元和1个表决器, 可以完全容忍双点翻转. 与相关加固锁存器进行比较的结果表明, TMR-1D2R锁存器在延迟、功耗、面积和加固性能等方面取得了较好的折中.
软错误、双点翻转、混合三模冗余、加固锁存器
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TP391.41(计算技术、计算机技术)
安徽省自然科学基金1608085MF149;国家自然科学基金61574052,61674048,61371025,61474036
2018-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
968-974
