考虑热电耦合效应的缓冲器插入功耗优化

摘要：

为了改善芯片的功耗和温度特性,提出了一种缓冲器插入功耗优化方法.该方法基于延时、功耗和温度三者之间的热电耦合效应,给出了相应的延时、功耗和热模型;通过在允许的范围内牺牲部分延时来优化功耗,并在优化过程兼顾温度对延时和功耗的影响以及互连电感效应对延时的影响,利用Matlab软件求得最佳优化结果.采用该方法针对65 nm和45 nm工艺节点的缓冲器插入进行分析和验证的结果表明了其有效性.文中同时指出忽略互连电感效应会低估芯片的优化稳态功耗和温度.

关键词：延时、功耗、缓冲器插入、热电耦合、电感

所属期刊栏目：21

分类号：TN405.97(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金60606006;国家杰出青年科学基金60725415;重点实验室基金9140C030102060C0303

在线出版日期：2009-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1264-1269