电热分析研究的现状与展望

摘要：

随着IC工艺进入纳米工艺时代,集成度与工作频率的增加,伴随性能提高的是不断增加的芯片功耗.高功耗的直接后果是产生了高供电电流和高功耗密度,而过大的供电电流降低了供电网络的供电电压;过大的功耗密度升高了内核温度,反过来又会增加电路时延,降低芯片的性能.所以在芯片设计中,必须对芯片功耗、供电网络、3D热分析进行快速而精确的电热分析;同时,漏电流功耗随工作温度升高而明显增加所造成的电热耦合效应,以及纳米工艺所带来的较大工艺参数变化,都提高了电热分析的难度.文中给出了电热参量(功耗、供电电压和内核温度)分析的重要性与研究现状,展望了纳米工艺下日益显著的工艺参数变化对电热分析所带来的挑战.

关键词：功耗、电源/地线网、温度、电热分析、电热耦合、工艺参数变化

所属期刊栏目：21

分类号：TP391.9(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家"八六三"高技术研究发展计划2009AA01Z126,2007AA012109;国家自然科学基金60876025,40672195

在线出版日期：2009-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1203-1211