嵌入式SRAM的优化修复方法及应用

摘要：

为了提高SRAM的成品率并降低其功耗,提出一种优化的SRAM.通过增加的冗余逻辑及电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元,以提高其成品率;通过引入电源开启或关闭状态及隔离逻辑降低其功耗.利用二项分布计算最佳冗余逻辑,引入成品率边界因子判定冗余逻辑的经济性.将优化的SRAM64K×32应用到SoC中,并对SRAM64K×32 的测试方法进行了讨论.该SoC经90nm CMOS工艺成功流片, 芯片面积为5.6mm×5.6mm, 功耗为1997mW.测试结果表明:优化的SRAM64K×32 在每个晶圆上的成品率提高了9.267%,功耗降低了17.301%.

关键词：高成品率、最佳冗余逻辑、成品率边界因子、低功耗、电源开启或关闭状态

所属期刊栏目：20

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金60206006;国防预研基金51308040103;西安应用材料创新基金XA-AM-200701

在线出版日期：2008-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1276-1281