热压微晶碳化硼材料中子屏蔽性能仿真

摘要：

在蒙特卡洛模拟程序中构建三维仿真模型,对热压微晶碳化硼材料的中子屏蔽性能进行模拟仿真.仿真结果表明,碳化硼在材料中的含量直接影响着中子的投射系数,可以通过调整材料中碳化硼的含量,改善中子屏蔽效果;在普通材料的高能中子区和低能中子区添加相同含量的碳化硼,对中子屏蔽性能产生的影响存在差异,高能中子的屏蔽性能优于低能中子的屏蔽性能;中子屏蔽性能也受屏蔽体材料厚度的影响,将碳化硼添加到普通材料中,可以提高屏蔽效果,降低屏蔽材料的厚度,且屏蔽厚度与碳化硼含量之间呈反比.

关键词：热压微晶碳化硼;中子屏蔽性能;蒙特卡洛模拟程序;投射系数;屏蔽体材料

所属期刊栏目：39

分类号：TB321(工程材料学)

在线出版日期：2022-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：288-292