卫星元器件抗辐射指标优化分析

摘要：

目的 在航天器设计中对选用的电子元器件提出了抗辐射指标要求.随着航天器设计寿命增加,对元器件提出的抗辐射指标越来越高,因此需要优化对元器件的抗辐射指标要求,以降低因辐射指标不满足而限制元器件的选择范围.方法 通过对国内外抗辐射指标体系的对比分析和典型轨道、典型器件的数据分析,探讨总剂量指标的优化方法.对在轨翻转概率的影响因素进行分析,并采用典型数据的单粒子翻转概率评估,明确采用单一LET阈值指标的局限.结果 总剂量效应和单粒子效应指标均有优化的方法和空间.结论 通过对辐射环境的细化分析,降低辐射设计裕度,可降低总剂量的辐射指标要求.结合单粒子效应的应用需求以及防护设计,降低对器件LET阈值要求.

关键词：抗辐射元器件、总剂量效应、单粒子效应

所属期刊栏目：14

分类号：TJ01(一般性问题)

在线出版日期：2018-03-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：89-93