某型混合集成电路长期贮存寿命研究

摘要：

目的 研究某型混合集成电路在自然环境下的贮存寿命.方法 选用某型混合集成电路在A(寒温)、B(亚湿热)、C(亚湿热)、D(热带海洋)等4地开展为期172个月的库房贮存试验,跟踪测试其性能参数增益.应用灰色预测理论中的灰色GM(1,1)模型,对该型混合集成电路的贮存寿命进行预测,结果 D地的寿命最长,为32年;A地的寿命最短,为21年.结论 温度较差是增益退化的最优影响因素.就该型混合集成电路而言,B地和C地的环境应力对其影响无明显差异.

关键词：混合集成电路、贮存试验、性能参数、贮存寿命、预测

所属期刊栏目：13

分类号：TJ04(一般性问题)

在线出版日期：2017-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：110-113