基于纳米压痕测试的超细晶 Si2 N2 O-Si3 N4陶瓷室温蠕变特性

摘要：

目的：陶瓷材料由于其固有硬脆性,难以利用传统单轴拉伸与压缩实验测试其蠕变性能,而纳米压痕测试技术对试样形状尺寸没有特殊要求,因此利用纳米压痕测试技术研究 Si2 N2 O-Si3 N4超细晶陶瓷的室温蠕变性能。方法针对1600,1650,1700℃条件下烧结制备的 Si2 N2 O-Si3 N4超细晶陶瓷,采用纳米压痕技术测试材料在最大载荷分别为5000,6000和7000μN 条件下的载荷-位移曲线,并通过拟合计算获得了3种材料室温蠕变应力指数。结果3种材料均呈现明显的加载效应。结论研究表明,在相同载荷下,压入深度和蠕变位移都随着材料烧结温度的升高而增大,且相同材料的蠕变应力指数,随着保压载荷的增大而减小。对比分析发现,在1600℃条件下烧结制备的 Si2 N2 O-Si3 N4超细晶陶瓷,晶粒细小均匀,晶界数多,室温下表现出较强的蠕变性能。

关键词：Si2 N2 O-Si3 N4、纳米压痕、加载效应、蠕变应力指数

分类号：TB302.3(工程材料学)

在线出版日期：2014-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：59-63