CdTe探测器能量刻度与探测效率的模拟计算

摘要：

在实现对单能平行光子源的绝对测量之前,需要对CdTe探测器进行刻度.利用已知点源对CdTe探测器进行能量刻度,得到刻度曲线和能量分辨率,利用工业CT对CdTe探测器进行精确扫描,得到CdTe探测器内部结构,并以此为基础,利用MCNP5蒙特卡罗模拟程序建立CdTe探测器物理模型;计算20 ～150 keV能量段,能量间隔为1 keV每个能量点的探测效率,得到CdTe探测器的效率曲线图.发现CdTe探测器在低能段探测效率较高,但Te元素在27 keV和32 keV处产生了逃逸峰,探测效率有所下降,之后探测效率曲线呈现先上升后下降的趋势.

关键词：计量学、CdTe探测器、探测效率、蒙特卡罗模拟、CT扫描

所属期刊栏目：38

分类号：TB98(计量学)

在线出版日期：2017-07-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：372-375