用于量子化霍尔电阻标准的GaAs/AlGaAs异质结二维电子气结构

摘要：

设计并利用分子束外延生长了GaAs/AlGaAs异质结结构,以制作应用于中国电阻基准的量子化霍尔电阻器件.报道了这种制作量子化霍尔电阻器件的步骤及结果,讨论了利用77 K下二维电子气的载流子浓度和迁移率数据初步判断其是否适合用于量子化霍尔电阻标准的方法和该方法的局限性.

关键词：计量学、量子化霍尔电阻标准、GaAs/AlGaAs异质结、二维电子气

所属期刊栏目：31

分类号：TB971(计量学)

在线出版日期：2011-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：543-546