高能球磨法制备纳米ZnO掺Fe稀磁半导体材料
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10.3969/j.issn.1007-2853.2014.03.022

高能球磨法制备纳米ZnO掺Fe稀磁半导体材料

引用
稀磁半导体合金制备的基本思想主要是利用磁性离子部分地取代原来半导体中的阳离子.本论文利用高能球磨方法制备铁掺杂氧化锌,是通过高能球磨方法,球磨ZnO粉末,利用钢球及钢罐在球磨时撞击下的铁屑进行掺杂.XRD结果表明,随球磨时间的增加,10 h以前只有ZnO峰位,样品中铁峰在球磨10h出现,46 h为最强,球磨136 h消失,46~136 h过程ZnO峰位向左偏移,在球磨达到172 h,样品中出现新相Fe0.85-xZnxO.振动样品磁强计测量样品具有室温铁磁性,磁性能随Fe含量的变化而改变.

ZnO、稀磁半导体、高能球磨、掺杂、室温铁磁性

31

O469(真空电子学(电子物理学))

2014-04-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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1007-2853

22-1249/TQ

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2014,31(3)

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