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10.13229/j.cnki.jdxbgxb201605003

基于电容分段反馈的绝缘栅双极型晶体管门极驱动

引用
将绝缘栅双极型晶体管(IGBT)关断过程分解为多个阶段,对IGBT关断过程中电压上升和电流下降采取分阶段电容耦合反馈从而独立控制dv/dt和di/dt,实现电磁辐射和关断电压反峰的双重约束.基于Pspiece模型仿真出不同反馈电容及门极电阻下的开关损耗和关断电压反峰,绘制出了相互之间的关系曲线,同时提出了一套优化系统参数的计算方法.选取英飞凌FS400R07A1E3_H5型IGBT模块,设计出了具备电容反馈的驱动电路,实验结果表明:在通过IGBT电流为400 A的情况下,采取电容反馈的驱动电路将反峰电压降低80 V左右,模块温升有所降低,验证了本文方法的正确性.

车辆工程、绝缘栅双极型晶体管、开关损耗、门极驱动、电容反馈、电压反峰

46

U461;TM46(汽车工程)

国家自然科学基金项目21327803

2017-01-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

1399-1404

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吉林大学学报(工学版)

1671-5497

22-1341/T

46

2016,46(5)

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