深亚微米部分耗尽型SOI MOSFET的建模及特征提取方法

摘要：

基于BSIMSOI模型研究了深亚微米级部分耗尽型绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(PD SOI MOSFET)器件的自加热效应、体接触效应及浮体效应,并提出了PDSOI MOSFET的建模方法及相应的模型参数提取方法.根据上述方法对西安微电子技术研究所0.35μm工艺条件下的PD SOI器件进行了建模和验证,结果显示所建立的模型与测试数据吻合,表明本文所提方法的准确性及有效性.

关键词：半导体技术、器件建模、BSIMSOI、部分耗尽型绝缘体上硅、参数提取

所属期刊栏目：41

分类号：TN303;TN386.1(半导体技术)

资助基金："十一五"国防预研项目

在线出版日期：2016-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：782-786