元素掺杂对二维Ga2O2电子性质的影响

摘要：

基于密度泛函理论的VASP(Vienna ab-initio simulation package)软件包计算5种金属和非金属掺杂对二维Ga2 O2晶体结构和电子性质的影响.结果表明:掺杂B,C,Mg,Si,P元素可使晶体结构发生改变,并改变掺杂体系的电子性质;与本征Ga2 O2晶体相比,这几种掺杂元素体系的带隙均减小,这是由于掺杂原子与近邻原子间电荷重新分布所致.

关键词：密度泛函理论、掺杂、能带结构、态密度

所属期刊栏目：60

分类号：TB303(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金;河南省重点研发与推广专项科技攻关基金

在线出版日期：2022-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：445-449