空位缺陷对 CrSi2光电性能的影响

摘要：

采用第一性原理方法,计算含空位缺陷 CrSi2的电子结构和光学性质,并分析含 Cr 和Si 空位缺陷的 CrSi2光电性能.结果表明：Cr 和 Si 空位均使 CrSi2的晶格常数和体积变小；能带结构密集而平缓,且整体向上移动,Si 空位缺陷形成带隙宽度为0.35 eV 的 p 型间接带隙半导体,Cr 空位缺陷在原禁带间出现两条新的能带；含空位缺陷 CrSi2的电子态密度仍主要由 Cr 3d 层电子贡献,Si 空位缺陷对电子态密度的影响较小,Cr 空位缺陷提高了 Fermi 面处的电子态密度；与 CrSi2相比,含空位缺陷 CrSi2的介电峰均向低能方向略有偏移且峰值降低,吸收系数明显变小.

关键词：CrSi2、空位缺陷、光电性能、第一性原理

分类号：O474(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61404010;贵州省自然科学基金黔科合 J 字20102001;黔教科 KY2012056号

在线出版日期：2015-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：561-567