基底偏压对氮化硼薄膜场发射特性的影响

摘要：

利用射频磁控溅射方法, 在n型(100)Si(0.008～0.02 Ω·m)基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构均为六角BN(h-BN)相. 在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性, 发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压关系很大, 阈值电场随基底偏压的增加先增加后减小. 基底偏压为-140 V时BN薄膜样品场发射特性要好于其他样品, 阈值电场低于8 V/μm. F～N曲线表明, 在外加电场的作用下, 电子隧穿BN薄膜表面势垒发射到真空.

关键词：BN薄膜、场发射、偏压、粗糙度

所属期刊栏目：43

分类号：O647.2(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2002AA305507

在线出版日期：2005-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：513-516