半导体高功率量子阱激光器退火后的电噪声

摘要：

在环境温度和工作电流下,对808 nm高功率量子阱激光器进行老化实验,发现在老化过程中一些劣质器件电噪声谱密度呈下降趋势,产生退火效应.本文应用初始性缺陷(高温高能条件下所形成的缺陷)和非初始性缺陷理论,探讨了器件发生退火及早期失效的原因.

关键词：半导体激光器、噪声、退火

所属期刊栏目：42

分类号：TN365(半导体技术)

资助基金：吉林大学校科研和教改项目

在线出版日期：2004-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：600-602