抗PID多晶硅电池的磷扩散工艺改进

摘要：

电池组件在高电势差的影响下易发生电势诱导衰减(PID).开发一种三次通源磷扩散工艺,可在较低方阻(70Ω～75Ω)下获得高效率.可通过调节温度、时间、扩散气体的流量等来获得预期的电池方阻.三次通源扩散工艺的最佳工艺参数为:扩散中心温度为830℃、氧气流量为1700 sccm、扩散氮的流量为2300 sccm、通源时间和再分布时间分别为250 s和700 s.该法制备的电池所形成的组件在(85℃+85％RH+负1000V+96H)条件下峰值功率衰减了0.62％,满足峰值功率变化小于5％的抗PID要求.

关键词：电势诱导衰减、三次通源磷扩散、方块电阻、峰值功率衰减

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资助基金：国家自然科学基金;江西省自然科学基金;江西省教学改革课题项目;南昌航空大学教改课题项目;南昌航空大学材料科学与工程学院一流课程建设经费资助

在线出版日期：2022-03-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

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