异质形核生长高效多晶硅研究

摘要：

本文通过对多晶硅铸造全熔工艺异质形核理论的研究,选择优异的形核剂并制备良好的形核层,依靠涂层工艺的创新及铸锭工艺优化,确保全熔工艺下涂层内异质形核的可形核数,减小润湿角.结果显示,SiO2异质形核全熔工艺的多晶硅锭平均少子寿命达7.02μs,硅锭出材率达到66.21％,比半熔工艺硅片的电池光电转换效率略高.

关键词：异质形核、多晶硅、全熔工艺、少子寿命、硅锭出材率、电池效率

所属期刊栏目：36

在线出版日期：2021-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：95-98