10.3969/j.issn.1008-3103.2016.02.013
花状In2S3/TiO2NTs复合纳米材料的制备及4-NP降解应用研究
文章中以L(+)-Cysteine和InCl3作为前驱物,采用简单的水热法成功在TiO2纳米管阵列上负载片状In2 s3纳米片,成功制备得花状In2S3/TiO2 NiTs复合纳米材料.SEM和TEM显示,制备的In2S3纳米片呈花级结构以TiO2NTs为成核位点堆积组装原位生长.研究表明,窄禁带In2S3的引入加速了电子-空穴对分离效率,将这种制备的复合材料用来降解对硝基苯酚,较低浓度的前驱体量负载In2S3时,4-NP去除率可以高达到95.6%.
In2S3纳米片、TiO2纳米管阵列、光催化、对硝基苯酚
TB3;TS1
2016-06-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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