一种新型的机械化学抛光模型

摘要：

分析了机械化学抛光(CMP)过程中氧化剂与磨粒的化学机械协同作用机理,将CMP过程分为化学作用主导阶段和机械作用主导阶段.应用微观接触力学和颗粒粒度分布理论,对这两个阶段分别建立了表征芯片表面材料去除率的数学模型,根据这两个阶段的平衡点推出了表征芯片表面氧化膜生成速度的数学表达式.模型综合考虑了机械和化学作用因素、磨粒的浓度、磨粒的粒度分布特性栽及磨粒/芯片/抛光盘的材料特性参数对CMP过程的影响,并通过图表分析了磨粒体积浓度、磨粒平均粒径粒度、磨粒粒度分布宽度以及氧化剂浓度对CMP过程芯片表面材料去除率的影响规律.

关键词：机械化学抛光、氧化膜、数学模型、粒度分布

所属期刊栏目：6

分类号：TG356.28;O484.4(金属压力加工)

资助基金：江苏省自然科学基金BK2004020;教育部回国人员科研启动项目教外司留[2004]527号;国家重点实验室基金SKIT04-06;江南大学校科研和教改项目207000-21054200

在线出版日期：2008-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：578-582