10.3969/j.issn.1671-7147.2007.02.014
一种新型的高性能带隙基准电压源
提出了一种新型的高性能带隙基准电压源,该基准电压源采用共源共栅电流镜提供偏置电流,减少沟道长度调制效应带来的误差,并增加1个简单的减法电路,使得偏置电流更好地跟随电源电压变化,从而提高电路的电源抑制比.整体电路使用CSMC 0.6 μm CMOS工艺,采用Hspice进行仿真.仿真结果表明,在-50~+100 ℃温度范围内温度系数为2.93×10-5 ℃,电源抑制比达到-84.2 dB,电源电压在3.5~6.5 V之间均可实现2.5±0.0012 V的输出,是一种有效的基准电压实现方法.
基准电压源、温度补偿、温度系数
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
2007-07-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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