铸造多晶硅的吸杂

摘要：

吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800 ℃、900 ℃和1 000 ℃条件下经2 h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明,磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显,但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响;同时发现退火到700 ℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果.

关键词：磷吸杂、铝吸杂、磷铝共吸杂、太阳电池、多晶硅太阳电池、少子寿命

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分类号：TM914.41

在线出版日期：2007-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：749-752