分子束外延HgTe/CdTe超晶格工艺研究

摘要：

报道了分子束外延生长HgTe/CdTe超晶格结构相关技术.采用HgTe/CdTe超晶格结构进行As掺杂是降低As掺杂元素激活温度的技术路径之一.本文采用分子束外延技术在 3 in硅衬底上获得了HgTe/CdTe超晶格结构材料,并采用250℃低温退火获得了激活的原位As掺杂碲镉汞材料.

关键词：分子束外延、碲镉汞、HgTe/CdTe超晶格

所属期刊栏目：53

分类号：TN213;O436(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2023-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1384-1387