退火工艺对HgCdTe材料位错密度及电学性能影响的研究

摘要：

实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响.结果表明:相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降低,并且材料的迁移率有了显著的提升.研究发现循环变温退火是一种较好提升HgCdTe材料性能的热处理方法.

关键词：碲镉汞、热处理、位错密度、电学性能、载流子迁移率

所属期刊栏目：53

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2023-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：566-569