硅晶圆中注入10 MeV磷的连续激光退火激活

摘要：

基于硅(Si)中高能注入磷(P)的连续激光退火方法展开研究.采用的P离子最高注入能量为10 MeV,在Si中的注入深度可达7μm.分别采用532 nm和808nm波长的连续激光退火,照射时间分别为2 ms和2.7 ms.结果显示,虽然532 nm激光在Si中的穿透深度只有1.25μm,不到808 nm激光的1/10,但由于照射时间较长,热传导起到主要作用.因此,两种退火方案都可以实现整个注入深度的有效激活.532 nm连续激光退火实现了93％的激活效率,808 nm激光退火的激活效率接近100％.

关键词：激光退火、10 MeV注入磷、表面形貌、杂质分布、温度分布

所属期刊栏目：52

分类号：TN305.3;TN249(半导体技术)

资助基金：广东省重点领域研发计划项目No.2019B010144001

在线出版日期：2022-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1000-1003