中波碲镉汞p-on-n高温工作技术研究

摘要：

针对碲镉汞中波p-on-n技术进行研究,采用二次离子质谱仪分析注入后及退火后As离子在碲镉汞材料中的浓度分布,使用透射电镜表征激活退火后离子注入损伤修复状态,通过半导体参数测试仪评价pn结的Ⅳ特性,将探测器芯片装在变温杜瓦中测试其不同温度下的焦平面技术指标.研究结果表明,As离子注入后在碲镉汞体内形成大量缺陷,经过富汞退火后缺陷得到修复,同时As离子进一步向内扩散,制备的pn结工作稳定表明As离子得到有效激活,制备的中波p-on-n探测器芯片在120 K温度下有效像元率可以达到99％以上.

关键词：碲镉汞、p-on-n、As注入、高温工作

所属期刊栏目：50

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2020-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：435-438