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10.3969/j.issn.1001-5078.2020.01.017

小型化锑化铟探测器制备

引用
随着红外探测技术的不断发展,市场对红外探测器提出了越来越多的要求,如高分辨率、高工作稳定性、低成本、小型化等,红外探测器光敏芯片的制备技术随之向大面阵、小间距方向不断探索.基于市场需求,本文从技术发展的角度,研究采用离子注入技术、干法刻蚀技术制备台面结型焦平面阵列,实现高性能、窄间距、小型化光敏芯片的制备,为未来高分辨率芯片的制备奠定技术基础.文章介绍了128×128(15μm)、128×128(10μm)两款器件的制备,两款器件中测I-V性能良好,其中,128×128(15μm)器件杜瓦封装组件后性能表现良好.

锑化铟、离子注入、干法刻蚀

50

TN215(光电子技术、激光技术)

2020-03-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

92-95

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激光与红外

1001-5078

11-2436/TN

50

2020,50(1)

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