基于正交试验方法的Si基碲镉汞工艺优化

摘要：

采用正交试验方法优化了Si基碲镉汞分子束外延工艺参数,以缺陷密度和缺陷尺度为评判标准.采用三因素三水平正交试验方法,分别使用生长温度、Hg/Te比、生长速率三个因素作为变化的参数.结果表明生长温度对HgCdTe缺陷影响最大,生长速率次之,Hg/Te比最小.使用正交试验获得的生长参数进行试验即生长温度212℃,Hg流量61 sccm,生长速率为1.5μm/h,获得的HgCdTe材料缺陷密度控制在500 cm-2以内,平均缺陷直径小于3.5μm.

关键词：碲镉汞、正交试验、分子束外延

所属期刊栏目：49

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2019-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：209-212