nBn型InSb红外器件性能仿真

摘要：

从能带结构方面分析了InSb nBn结构的势垒层,并使用Sentaurus TCAD软件计算并模拟了改进前后的器件Ⅳ性能,仿真结果表明,在势垒层靠近吸收层一侧加入渐变层可以有效改进器件性能.之后模拟仿真了势垒层Al组分、厚度对器件性能的影响.最后根据仿真结果选定结构参数进行实际分子束外延生长,并给出初步的器件结果.

关键词：nBn、InSb、能带、Ⅳ特性、Sentaurus TCAD

所属期刊栏目：48

分类号：TN214(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2018-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：872-875